三极管的三个参数Vce(sat)、Vbe(sat)、HFE能为三极管提供什么信息，如下。

h指“h”参数模型，f指“f”正向电流增益，e指普通“e”发射器。

HFE是在* * *条件下正向开启H参数模型时的电流增益

Vce(sat):

Ic的产生与CE两极之间的电场强度有关。由于电子在半导体中的运动是有限的，当Vce增大到一定程度时，Ic不会增大，即进入饱和区，继续增大Vce，就会导致击穿。

这里，Vce(sat)是指达到饱和区所需的ce之间的最小电压。

Vbe(星期六):

BE之间的电压决定了Ie的大小，就像自来水的水阀一样。工业工程和Vbe有指数关系。一般来说，Vbe被认为是一个常数。如果强行增加，Ie会成倍增长，晶体管会烧坏。

在这里，Vbe可以作为一个常数来寻找电流。